casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTP1N80
codice articolo del costruttore | IXTP1N80 |
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Numero di parte futuro | FT-IXTP1N80 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTP1N80 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 750mA (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 25µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 40W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTP1N80 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTP1N80-FT |
IXFP7N60P3
IXYS
IXFP7N80P
IXYS
IXFP8N50P3
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IXFP8N65X2
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IXFP8N85X
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IXTP02N120P
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IXTP05N100
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IXTP05N100M
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IXTP05N100P
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IXTP06N120P
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