casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTP1N100
codice articolo del costruttore | IXTP1N100 |
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Numero di parte futuro | FT-IXTP1N100 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTP1N100 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 25µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 54W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTP1N100 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTP1N100-FT |
IXTH12N90
IXYS
IXTH130N15T
IXYS
IXTH13N110
IXYS
IXTH13N80
IXYS
IXTH14N100
IXYS
IXTH14N80
IXYS
IXTH150N17T
IXYS
IXTH152N085T
IXYS
IXTH160N075T
IXYS
IXTH160N15T
IXYS
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel