casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTH230N085T
codice articolo del costruttore | IXTH230N085T |
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Numero di parte futuro | FT-IXTH230N085T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMV™ |
IXTH230N085T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 85V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 230A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 187nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9900pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 550W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 (IXTH) |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTH230N085T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTH230N085T-FT |
IXTH48N65X2
IXYS
IXTH130N10T
IXYS
IXTH02N250
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IXTH24P20
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