casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTA5N60P
codice articolo del costruttore | IXTA5N60P |
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Numero di parte futuro | FT-IXTA5N60P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PolarHV™ |
IXTA5N60P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 Ohm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.2nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (IXTA) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTA5N60P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTA5N60P-FT |
IXTA120P065T
IXYS
IXTA12N50P
IXYS
IXTA130N065T2
IXYS
IXTA140P05T
IXYS
IXTA14N60P
IXYS
IXTA160N04T2
IXYS
IXTA16N50P
IXYS
IXTA170N075T2
IXYS
IXTA18P10T
IXYS
IXTA1N100P
IXYS
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel