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IXYS IXTA180N10T7

Numero parte MFG
IXTA180N10T7
quantità disponibile
67380 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 2.64608
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fabbricante
IXYS
Breve descrizione
TrenchMV™ MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IXTA180N10T7 specificazioni

codice articolo del costruttore IXTA180N10T7
Numero di parte futuro FT-IXTA180N10T7
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchMV™
IXTA180N10T7 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 151nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6900pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 480W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-263-7 (IXTA..7)
Pacchetto / caso TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTA180N10T7 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IXTA180N10T7-FT

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