casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IXST30N60CD1
codice articolo del costruttore | IXST30N60CD1 |
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Numero di parte futuro | FT-IXST30N60CD1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXST30N60CD1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 55A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 110A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 30A |
Potenza - Max | 200W |
Cambiare energia | 700µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 100nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 30ns/90ns |
Condizione di test | 480V, 30A, 4.7 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-268 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXST30N60CD1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXST30N60CD1-FT |
IXSK50N60BU1
IXYS
IXSK80N60B
IXYS
IXXK100N60B3H1
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IXXK160N65C4
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5SGXEA4K2F40I2L
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A40MX04-PQ100A
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