casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IXSH30N60C
codice articolo del costruttore | IXSH30N60C |
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Numero di parte futuro | FT-IXSH30N60C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXSH30N60C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | PT |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 55A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 110A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 30A |
Potenza - Max | 200W |
Cambiare energia | 700µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 100nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 30ns/90ns |
Condizione di test | 480V, 30A, 4.7 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD (IXSH) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXSH30N60C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXSH30N60C-FT |
IXGH20N120IH
IXYS
IXGH20N140C3H1
IXYS
IXGH20N160
IXYS
IXGH20N60
IXYS
IXGH20N60A
IXYS
IXGH20N60AU1
IXYS
IXGH20N60B
IXYS
IXGH20N60BD1
IXYS
IXGH20N60BU1
IXYS
IXGH22N140IH
IXYS
AGLN010V2-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQG100I
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A54SX16P-VQG100M
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AGL125V2-VQG100I
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10M40DAF484I6G
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EP2AGX45DF25C4N
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5SGXMB6R2F43I2LN
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XC5VLX50-1FF1153I
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XC7K420T-L2FFG901E
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XC6VCX240T-1FFG1156C
Xilinx Inc.