casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IXSH30N60B2D1
codice articolo del costruttore | IXSH30N60B2D1 |
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Numero di parte futuro | FT-IXSH30N60B2D1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXSH30N60B2D1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | PT |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 48A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 90A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 24A |
Potenza - Max | 250W |
Cambiare energia | 550µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 50nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 30ns/130ns |
Condizione di test | 400V, 24A, 5 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD (IXSH) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXSH30N60B2D1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXSH30N60B2D1-FT |
IXGH20N120B
IXYS
IXGH20N120BD1
IXYS
IXGH20N120IH
IXYS
IXGH20N140C3H1
IXYS
IXGH20N160
IXYS
IXGH20N60
IXYS
IXGH20N60A
IXYS
IXGH20N60AU1
IXYS
IXGH20N60B
IXYS
IXGH20N60BD1
IXYS
XA3S250E-4PQG208Q
Xilinx Inc.
XC7S75-1FGGA484C
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
5SGXEA7K2F40I3N
Intel
5SGXEB5R3F40I3N
Intel
EP4CE15E22C9LN
Intel
XC7S6-2CSGA225C
Xilinx Inc.
APA075-TQ100A
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360HF35C4N
Intel