casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IXSH30N60B2D1
codice articolo del costruttore | IXSH30N60B2D1 |
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Numero di parte futuro | FT-IXSH30N60B2D1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXSH30N60B2D1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | PT |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 48A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 90A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 24A |
Potenza - Max | 250W |
Cambiare energia | 550µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 50nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 30ns/130ns |
Condizione di test | 400V, 24A, 5 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD (IXSH) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXSH30N60B2D1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXSH30N60B2D1-FT |
IXGH20N120B
IXYS
IXGH20N120BD1
IXYS
IXGH20N120IH
IXYS
IXGH20N140C3H1
IXYS
IXGH20N160
IXYS
IXGH20N60
IXYS
IXGH20N60A
IXYS
IXGH20N60AU1
IXYS
IXGH20N60B
IXYS
IXGH20N60BD1
IXYS
XC3S500E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG900C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-CSG81
Microsemi Corporation
A3PE600L-FG484M
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256T
Microsemi Corporation
5CEFA9F27C7N
Intel
LFE2-12E-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60CF780C3N
Intel
EP3CLS200F780C8N
Intel