casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IXSH20N60B2D1
codice articolo del costruttore | IXSH20N60B2D1 |
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Numero di parte futuro | FT-IXSH20N60B2D1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXSH20N60B2D1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | PT |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 35A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 60A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 16A |
Potenza - Max | 190W |
Cambiare energia | 380µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 33nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 30ns/116ns |
Condizione di test | 480V, 16A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD (IXSH) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXSH20N60B2D1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXSH20N60B2D1-FT |
IXGH15N120C
IXYS
IXGH15N120CD1
IXYS
IXGH16N170AH1
IXYS
IXGH16N60B2D1
IXYS
IXGH16N60C2D1
IXYS
IXGH17N100A
IXYS
IXGH17N100AU1
IXYS
IXGH17N100U1
IXYS
IXGH20N100
IXYS
IXGH20N120
IXYS
A40MX02-1VQ80
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7N
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EP4SGX180KF40C2N
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5SGSED8K2F40I2LN
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5SGSMD4K1F40C2N
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XC4VLX40-10FF1148C
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XC7K420T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VLX110-1FFG676C
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation