casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXKR40N60C
codice articolo del costruttore | IXKR40N60C |
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Numero di parte futuro | FT-IXKR40N60C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IXKR40N60C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 38A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 3mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS247™ |
Pacchetto / caso | ISOPLUS247™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXKR40N60C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXKR40N60C-FT |
IXFN72N55Q2
IXYS
IXFN73N30Q
IXYS
IXFN80N48
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