casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / IXGN82N120C3H1
codice articolo del costruttore | IXGN82N120C3H1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IXGN82N120C3H1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GenX3™ |
IXGN82N120C3H1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | PT |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 130A |
Potenza - Max | 595W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 82A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 7.9nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGN82N120C3H1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXGN82N120C3H1-FT |
APTGF100A120T3AG
Microsemi Corporation
APTCV60HM45RT3G
Microsemi Corporation
APTCV60HM45RCT3G
Microsemi Corporation
APTCV60HM45BT3G
Microsemi Corporation
APTCV60HM45BC20T3G
Microsemi Corporation
APT75GP120J
Microsemi Corporation
APT75GP120JDQ3
Microsemi Corporation
APT200GN60J
Microsemi Corporation
APT75GN120JDQ3
Microsemi Corporation
APT100GT120JU2
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQ100
Microsemi Corporation
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC2VP30-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A100T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35I3N
Intel
10AX016E4F27E3SG
Intel