casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / IXGN80N60A2
codice articolo del costruttore | IXGN80N60A2 |
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Numero di parte futuro | FT-IXGN80N60A2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXGN80N60A2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 160A |
Potenza - Max | 625W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.35V @ 15V, 80A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 25µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | - |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGN80N60A2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXGN80N60A2-FT |
APTCV90TL12T3G
Microsemi Corporation
APTCV60TLM99T3G
Microsemi Corporation
APTCV60TLM45T3G
Microsemi Corporation
APTGF100A120T3AG
Microsemi Corporation
APTCV60HM45RT3G
Microsemi Corporation
APTCV60HM45RCT3G
Microsemi Corporation
APTCV60HM45BT3G
Microsemi Corporation
APTCV60HM45BC20T3G
Microsemi Corporation
APT75GP120J
Microsemi Corporation
APT75GP120JDQ3
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FT256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FGG676C
Xilinx Inc.
AGLE600V2-FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F484C7N
Intel
EP1K30FC256-3AA
Intel
5SGSMD4K2F40C3N
Intel
5SGXMA3K3F35C2N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
10M08SAM153I7G
Intel