casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IXGH30N60C3C1
codice articolo del costruttore | IXGH30N60C3C1 |
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Numero di parte futuro | FT-IXGH30N60C3C1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GenX3™ |
IXGH30N60C3C1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | PT |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 150A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 20A |
Potenza - Max | 220W |
Cambiare energia | 120µJ (on), 90µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 38nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 17ns/42ns |
Condizione di test | 300V, 20A, 5 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD (IXGH) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGH30N60C3C1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXGH30N60C3C1-FT |
IXGX100N170
IXYS
IXGX120N60B
IXYS
IXGX120N60C2
IXYS
IXGX12N90C
IXYS
IXGX28N140B3H1
IXYS
IXGX32N170AH1
IXYS
IXGX32N170H1
IXYS
IXGX35N120B
IXYS
IXGX35N120BD1
IXYS
IXGX35N120CD1
IXYS
XC6SLX16-2FTG256I
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA484I
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P400-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
M2GL090S-1FGG676I
Microsemi Corporation
EP20K400CB652C7
Intel
EP1C12Q240C7
Intel