casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFV52N30P
codice articolo del costruttore | IXFV52N30P |
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Numero di parte futuro | FT-IXFV52N30P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PolarHT™ HiPerFET™ |
IXFV52N30P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 52A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 66 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3490pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 400W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS220 |
Pacchetto / caso | TO-220-3, Short Tab |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFV52N30P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFV52N30P-FT |
IXFE44N50QD2
IXYS
IXFE44N50QD3
IXYS
IXFE44N60
IXYS
IXFE48N50Q
IXYS
IXFE48N50QD2
IXYS
IXFE48N50QD3
IXYS
IXFE50N50
IXYS
IXFE55N50
IXYS
IXFE73N30Q
IXYS
IXFE80N50
IXYS
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel