casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFP26N30X3
codice articolo del costruttore | IXFP26N30X3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IXFP26N30X3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFP26N30X3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 66 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 500µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1.465nF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 170W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFP26N30X3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFP26N30X3-FT |
IXTH12N100Q
IXYS
IXTH12N120
IXYS
IXTH12N90
IXYS
IXTH130N15T
IXYS
IXTH13N110
IXYS
IXTH13N80
IXYS
IXTH14N100
IXYS
IXTH14N80
IXYS
IXTH150N17T
IXYS
IXTH152N085T
IXYS
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel