casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFP16N60P3
codice articolo del costruttore | IXFP16N60P3 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFP16N60P3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFP16N60P3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 470 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1830pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 347W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFP16N60P3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFP16N60P3-FT |
IXTH152N085T
IXYS
IXTH160N075T
IXYS
IXTH160N15T
IXYS
IXTH16P20
IXYS
IXTH180N085T
IXYS
IXTH182N055T
IXYS
IXTH1N100
IXYS
IXTH200N075T
IXYS
IXTH200N085T
IXYS
IXTH20N60
IXYS
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel