casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFN55N50
codice articolo del costruttore | IXFN55N50 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFN55N50 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFN55N50 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 55A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 27.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 625W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN55N50 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFN55N50-FT |
IXFH13N90
IXYS
IXFH14N100
IXYS
IXFH14N80
IXYS
IXFH150N15P
IXYS
IXFH150N17T
IXYS
IXFH150N17T2
IXYS
IXFH15N100
IXYS
IXFH15N100Q
IXYS
IXFH15N60
IXYS
IXFH15N80
IXYS
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
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M2GL025S-1VF400I
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A10V20B-PL68C
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EP4S100G3F45I3N
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XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
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EPF10K30AQC208-1N
Intel