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IXYS IXFN170N10

Numero parte MFG
IXFN170N10
quantità disponibile
52960 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 27.9568
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Data di spedizione
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fabbricante
IXYS
Breve descrizione
HiPerFET™ MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IXFN170N10 specificazioni

codice articolo del costruttore IXFN170N10
Numero di parte futuro FT-IXFN170N10
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HiPerFET™
IXFN170N10 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 170A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 515nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10300pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 600W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227B
Pacchetto / caso SOT-227-4, miniBLOC
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFN170N10 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IXFN170N10-FT

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