casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFK360N10T
codice articolo del costruttore | IXFK360N10T |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IXFK360N10T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GigaMOS™ HiPerFET™ |
IXFK360N10T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 360A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 3mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 525nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 33000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1250W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264AA (IXFK) |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFK360N10T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFK360N10T-FT |
VMO1200-01F
IXYS
VMO580-02F
IXYS
VMO1600-02P
IXYS
IXTK40P50P
IXYS
IXFK160N30T
IXYS
IXFK80N50P
IXYS
IXFK240N15T2
IXYS
IXFK44N80P
IXYS
IXFK140N30P
IXYS
IXTK8N150L
IXYS
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation