casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFH60N60X
codice articolo del costruttore | IXFH60N60X |
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Numero di parte futuro | FT-IXFH60N60X |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFH60N60X Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 143nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 890W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH60N60X Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFH60N60X-FT |
IXFH22N60P3
IXYS
IXFH60N50P3
IXYS
IXFH26N50P
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IXFH42N50P2
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IXFH42N20
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IXFH16N120P
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IXFH80N65X2
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IXFH50N20
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IXFH12N100
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IXFH75N10
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