casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFH22N50P
codice articolo del costruttore | IXFH22N50P |
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Numero di parte futuro | FT-IXFH22N50P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFH22N50P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2630pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 350W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD (IXFH) |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH22N50P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFH22N50P-FT |
IXFT50N20
IXYS
IXFT58N20
IXYS
IXFT6N100Q
IXYS
IXTT75N10
IXYS
IXTT140N10P
IXYS
IXFQ23N60Q
IXYS
IXFT10N100
IXYS
IXFT120N15P
IXYS
IXFT12N100
IXYS
IXFT12N100Q
IXYS