casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFD40N30Q-72
codice articolo del costruttore | IXFD40N30Q-72 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFD40N30Q-72 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFD40N30Q-72 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
Pacchetto / caso | Die |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFD40N30Q-72 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFD40N30Q-72-FT |
IRF6811STR1PBF
Infineon Technologies
IRF6892STR1PBF
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IRF6892STRPBF
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IRF7607
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IRFC3004EB
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XC2VP4-6FGG256C
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XC4052XL-3HQ304C
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M1A3P600-1FGG484
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A42MX36-PQ208I
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M2GL090TS-1FGG676I
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LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
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EP4SGX180FF35C2XN
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EP1SGX25DF1020C6
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