casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFA76N15T2
codice articolo del costruttore | IXFA76N15T2 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFA76N15T2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, TrenchT2™ |
IXFA76N15T2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 76A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 38A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 97nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 350W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AA |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFA76N15T2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFA76N15T2-FT |
MCP87018T-U/MF
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2N7002T-TP
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2SK3019-TP
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XC3S400-5FTG256C
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XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
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LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
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5SGXEA3K1F35I2N
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XC4020E-3HQ208I
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XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
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XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
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