casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IXBX55N300
codice articolo del costruttore | IXBX55N300 |
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Numero di parte futuro | FT-IXBX55N300 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | BIMOSFET™ |
IXBX55N300 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3000V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 130A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 600A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 55A |
Potenza - Max | 625W |
Cambiare energia | - |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 335nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
Condizione di test | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.9µs |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS247™-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXBX55N300 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXBX55N300-FT |
NGB8204NT4G
ON Semiconductor
NGB8206N
ON Semiconductor
NGB8206NG
ON Semiconductor
NGB8206NT4
ON Semiconductor
NGB8206NT4G
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NGB8206NTF4
ON Semiconductor
NGB8206NTF4G
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NGB8207ANT4G
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NGB8207NT4G
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TIG066SS-TL-E
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XC7A35T-1FTG256I
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XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
EP4CGX75CF23I7
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EP3SE260F1517C4LN
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5SGXMA5N1F45C1N
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XC7VX330T-2FFG1761I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D6F35C6N
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5AGXFB7H6F35C6N
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