casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IXBR42N170
codice articolo del costruttore | IXBR42N170 |
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Numero di parte futuro | FT-IXBR42N170 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | BIMOSFET™ |
IXBR42N170 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 57A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 300A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 42A |
Potenza - Max | 200W |
Cambiare energia | - |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 188nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
Condizione di test | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.32µs |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | ISOPLUS247™ |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS247™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXBR42N170 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXBR42N170-FT |
IXYT25N250CHV
IXYS
IXYT80N90C3
IXYS
IXBT20N300
IXYS
IXGT4N250C
IXYS
IXA12IF1200TC
IXYS
IXA4IF1200TC
IXYS
IXBT32N300
IXYS
IXDT30N120
IXYS
IXGJ40N60C2D1
IXYS
IXGT12N120A2D1
IXYS
M2GL005S-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA150-PQG208
Microsemi Corporation
AT6002LV-4AC
Microchip Technology
EP20K400CF672C9ES
Intel
5SGXMA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780C4L
Intel
EP2AGX95DF25C5N
Intel
10AX032E2F27E2LG
Intel
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U4F45I3LG
Intel