casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IXBP5N160G
codice articolo del costruttore | IXBP5N160G |
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Numero di parte futuro | FT-IXBP5N160G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | BIMOSFET™ |
IXBP5N160G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5.7A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 7.2V @ 15V, 3A |
Potenza - Max | 68W |
Cambiare energia | - |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 26nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
Condizione di test | 960V, 3A, 47 Ohm, 10V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXBP5N160G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXBP5N160G-FT |
IXGH25N100
IXYS
IXGH25N100A
IXYS
IXGH25N100AU1
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IXGH25N100U1
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IXGH25N120
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IXGH25N120A
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IXGH28N140B3H1
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IXGH28N60B
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IXGH28N60BD1
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IXGH28N90B
IXYS