casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / IXBL60N360
codice articolo del costruttore | IXBL60N360 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IXBL60N360 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | BIMOSFET™ |
IXBL60N360 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 92A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 720A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.4V @ 15V, 60A |
Potenza - Max | 417W |
Cambiare energia | - |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 450nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 50ns/340ns |
Condizione di test | 960V, 60A, 4.7 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.95µs |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | ISOPLUSi5-Pak™ |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUSi5-Pak™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXBL60N360 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXBL60N360-FT |
IXGT24N170A
IXYS
IXGT25N160
IXYS
IXGT30N120B3D1
IXYS
IXGT32N170
IXYS
IXGT32N170A
IXYS
IXGT60N60C3D1
IXYS
IXGT6N170
IXYS
IXGT6N170AHV
IXYS
IXGT72N60A3
IXYS
IXGT72N60B3
IXYS