casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / PMIC - Gate Driver / IXA611M6T/R
codice articolo del costruttore | IXA611M6T/R |
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Numero di parte futuro | FT-IXA611M6T/R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXA611M6T/R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione guidata | Half-Bridge |
Tipo di canale | Independent |
Numero di driver | 2 |
Gate Type | IGBT, N-Channel MOSFET |
Tensione - Fornitura | 10V ~ 35V |
Tensione logica - VIL, VIH | 6V, 7V |
Corrente - Uscita di picco (sorgente, lavello) | 600mA, 600mA |
Tipo di input | Non-Inverting |
Tensione lato alto - Max (Bootstrap) | 650V |
Rise / Fall Time (Typ) | 23ns, 22ns |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 16-VDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-MLP (7x6) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXA611M6T/R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXA611M6T/R-FT |
1SD418F2-FZ1200R33KF2
Power Integrations
1SD418F2-FZ1200R33KL2C
Power Integrations
1SD418F2-FZ1500R25KF1
Power Integrations
1SD418F2-FZ2400R17KF6
Power Integrations
2ED2304S06FXUMA1
Infineon Technologies
2EDF7175FXUMA1
Infineon Technologies
2SB315A-2MBI1200U4G-170
Power Integrations
2SB315A-2MBI800U4G-120
Power Integrations
2SB315A-2MBI800U4G-170
Power Integrations
2SB315A-2MBI800VT-170E
Power Integrations
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F45C2LN
Intel
5SGXEA7H2F35I3
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
A54SX32A-TQ100A
Microsemi Corporation
LFEC15E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS150F780C8N
Intel
EPF10K130EBC356-1
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel