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ON Semiconductor ISL9R8120S3ST

Numero parte MFG
ISL9R8120S3ST
quantità disponibile
62750 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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Data di spedizione
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
Stealth™ DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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ISL9R8120S3ST specificazioni

codice articolo del costruttore ISL9R8120S3ST
Numero di parte futuro FT-ISL9R8120S3ST
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie Stealth™
ISL9R8120S3ST Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Corrente: media rettificata (Io) 8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 3.3V @ 8A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 300ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F 30pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore TO-263AB
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 150°C
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ISL9R8120S3ST Peso Contattaci
Numero parte di ricambio ISL9R8120S3ST-FT

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