casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ISL9R3060G2
codice articolo del costruttore | ISL9R3060G2 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-ISL9R3060G2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Stealth™ |
ISL9R3060G2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.4V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 45ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISL9R3060G2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISL9R3060G2-FT |
S85M
GeneSiC Semiconductor
MBR3560R
GeneSiC Semiconductor
1N3891
GeneSiC Semiconductor
1N6095R
GeneSiC Semiconductor
FR12G05
GeneSiC Semiconductor
MBR3540
GeneSiC Semiconductor
S12D
GeneSiC Semiconductor
S16J
GeneSiC Semiconductor
GKN26/08
GeneSiC Semiconductor
GKR26/14
GeneSiC Semiconductor
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation