casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ISL9R3060G2-F085
codice articolo del costruttore | ISL9R3060G2-F085 |
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Numero di parte futuro | FT-ISL9R3060G2-F085 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, Stealth™ |
ISL9R3060G2-F085 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.4V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 45ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISL9R3060G2-F085 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISL9R3060G2-F085-FT |
ES1H
ON Semiconductor
GF1G
ON Semiconductor
ES1J
ON Semiconductor
RS1M
ON Semiconductor
ES1B
ON Semiconductor
US2JA
ON Semiconductor
RS1D
ON Semiconductor
SS13
ON Semiconductor
SS15
ON Semiconductor
ES1G
ON Semiconductor
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel