casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ISL9R30120G2
codice articolo del costruttore | ISL9R30120G2 |
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Numero di parte futuro | FT-ISL9R30120G2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Stealth™ |
ISL9R30120G2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.3V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 100ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISL9R30120G2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISL9R30120G2-FT |
SD4145R
GeneSiC Semiconductor
SD41R
GeneSiC Semiconductor
1N4595R
GeneSiC Semiconductor
150KR40A
GeneSiC Semiconductor
S150QR
GeneSiC Semiconductor
FR40MR05
GeneSiC Semiconductor
FR20GR02
GeneSiC Semiconductor
FR40KR05
GeneSiC Semiconductor
S40B
GeneSiC Semiconductor
S40KR
GeneSiC Semiconductor
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C6N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EP20K200EQC240-2X
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel