casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ISL9R30120G2
codice articolo del costruttore | ISL9R30120G2 |
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Numero di parte futuro | FT-ISL9R30120G2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Stealth™ |
ISL9R30120G2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.3V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 100ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISL9R30120G2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISL9R30120G2-FT |
SD4145R
GeneSiC Semiconductor
SD41R
GeneSiC Semiconductor
1N4595R
GeneSiC Semiconductor
150KR40A
GeneSiC Semiconductor
S150QR
GeneSiC Semiconductor
FR40MR05
GeneSiC Semiconductor
FR20GR02
GeneSiC Semiconductor
FR40KR05
GeneSiC Semiconductor
S40B
GeneSiC Semiconductor
S40KR
GeneSiC Semiconductor
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel