casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ISL9R1560S3ST
codice articolo del costruttore | ISL9R1560S3ST |
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Numero di parte futuro | FT-ISL9R1560S3ST |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Stealth™ |
ISL9R1560S3ST Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.2V @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 40ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D²Pak) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISL9R1560S3ST Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISL9R1560S3ST-FT |
1N4153TR
ON Semiconductor
1N4153_T50R
ON Semiconductor
1N4154TR_S00Z
ON Semiconductor
1N4154_T50R
ON Semiconductor
1N4305
ON Semiconductor
1N4305TR
ON Semiconductor
1N4305_T50R
ON Semiconductor
1N4446TR
ON Semiconductor
1N4446_T50R
ON Semiconductor
1N4447TR
ON Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel