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ON Semiconductor ISL9N302AP3

Name: ISL9N302AP3
Brand: ON Semiconductor
SKU: ISL9N302AP3
Availability: InStock
Rating: 4.8 (761 reviews)

Numero parte MFG: ISL9N302AP3

quantità disponibile: 93480 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: UltraFET™ MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: ISL9N302AP3.pdf

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ISL9N302AP3 specificazioni

codice articolo del costruttore	ISL9N302AP3
Numero di parte futuro	FT-ISL9N302AP3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	UltraFET™
ISL9N302AP3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	300nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	11000pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	345W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ISL9N302AP3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	ISL9N302AP3-FT

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