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codice articolo del costruttore | ISC1812ESR82M |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1812ESR82M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1812 |
ISC1812ESR82M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 820nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 271mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 950 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Frequenza - Autorisonante | 165MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25.2MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1812 (4532 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1812 |
Dimensione / Dimensione | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.134" (3.40mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1812ESR82M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1812ESR82M-FT |
ISC1812ERR82M
Vishay Dale
ISC1812ES100J
Vishay Dale
ISC1812ES100K
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ISC1812ES120J
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ISC1812ES120K
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ISC1812ES121J
Vishay Dale
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel