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codice articolo del costruttore | ISC1812ES3R3J |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1812ES3R3J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1812 |
ISC1812ES3R3J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 3.3µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 357mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 550 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 61MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1812 (4532 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1812 |
Dimensione / Dimensione | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.134" (3.40mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1812ES3R3J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1812ES3R3J-FT |
ISC1812ER2R2J
Vishay Dale
ISC1812ER2R2K
Vishay Dale
ISC1812ER2R7J
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ISC1812ER2R7K
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ISC1812ER391K
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EPF10K20TC144-4
Intel
LFEC3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel