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codice articolo del costruttore | ISC1812ER181J |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1812ER181J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1812 |
ISC1812ER181J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 180µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 111mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 5.72 Ohm Max |
Q @ Freq | 40 @ 796kHz |
Frequenza - Autorisonante | 4.5MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 796kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1812 (4532 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1812 |
Dimensione / Dimensione | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.134" (3.40mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1812ER181J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1812ER181J-FT |
ISC1812EB120J
Vishay Dale
ISC1812EB120K
Vishay Dale
ISC1812EB121J
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ISC1812EB121K
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ISC1812EB150J
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ISC1812EB150K
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ISC1812EB151J
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ISC1812EB151K
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ISC1812EB180J
Vishay Dale
ISC1812EB180K
Vishay Dale
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel