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codice articolo del costruttore | ISC1812EBR82M |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1812EBR82M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1812 |
ISC1812EBR82M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 820nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 271mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 950 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Frequenza - Autorisonante | 165MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25.2MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1812 (4532 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1812 |
Dimensione / Dimensione | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.134" (3.40mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1812EBR82M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1812EBR82M-FT |
ISC1812BNR39K
Vishay Dale
ISC1812BNR47J
Vishay Dale
ISC1812BNR47K
Vishay Dale
ISC1812BNR56K
Vishay Dale
ISC1812BNR68J
Vishay Dale
ISC1812BNR68K
Vishay Dale
ISC1812BNR82J
Vishay Dale
ISC1812BNR82K
Vishay Dale
ISC1812BNR82M
Vishay Dale
ISC1812EB100J
Vishay Dale
XC6SLX45-2FGG676C
Xilinx Inc.
XCKU060-2FFVA1517E
Xilinx Inc.
AT40K10-2DQC
Microchip Technology
5SGXEA9K3H40I3N
Intel
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A3P600-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-3MG132IR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29I3
Intel