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codice articolo del costruttore | ISC1812EBR82M |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1812EBR82M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1812 |
ISC1812EBR82M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 820nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 271mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 950 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Frequenza - Autorisonante | 165MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25.2MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1812 (4532 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1812 |
Dimensione / Dimensione | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.134" (3.40mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1812EBR82M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1812EBR82M-FT |
ISC1812BNR39K
Vishay Dale
ISC1812BNR47J
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EP3CLS200F484I7
Intel
EP3C10E144I7N
Intel
5SGXMA4K1F35I2N
Intel
XC4010XL-09BG256C
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FFG1927E
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176I
Microsemi Corporation
A42MX09-2PQ160
Microsemi Corporation
LFEC6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F324I7N
Intel
EPF10K200SRC240-3
Intel