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codice articolo del costruttore | ISC1210ER1R2J |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1210ER1R2J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210ER1R2J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 1.2µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 390mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 650 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 110MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210ER1R2J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210ER1R2J-FT |
ISC1210EB12NM
Vishay Dale
ISC1210EB150J
Vishay Dale
ISC1210EB150K
Vishay Dale
ISC1210EB15NM
Vishay Dale
ISC1210EB180J
Vishay Dale
ISC1210EB180K
Vishay Dale
ISC1210EB18NK
Vishay Dale
ISC1210EB1R0J
Vishay Dale
ISC1210EB1R0K
Vishay Dale
ISC1210EB1R2J
Vishay Dale
EP1C6T144C7N
Intel
XA6SLX75-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel