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codice articolo del costruttore | ISC1210EBR82M |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1210EBR82M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210EBR82M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 820nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 450mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 500 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 25.2MHz |
Frequenza - Autorisonante | 160MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25.2MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EBR82M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210EBR82M-FT |
ISC1210BNR68M
Vishay Dale
ISC1210BNR82J
Vishay Dale
ISC1210BNR82K
Vishay Dale
ISC1210BNR82M
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ISC1210EB100J
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ISC1210EB100K
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ISC1210EB101K
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ISC1210EB10NK
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ISC1210EB10NM
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EX64-PTQ64I
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
A42MX09-2PQ100
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
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