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codice articolo del costruttore | ISC1210EBR82M |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1210EBR82M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210EBR82M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 820nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 450mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 500 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 25.2MHz |
Frequenza - Autorisonante | 160MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25.2MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EBR82M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210EBR82M-FT |
ISC1210BNR68M
Vishay Dale
ISC1210BNR82J
Vishay Dale
ISC1210BNR82K
Vishay Dale
ISC1210BNR82M
Vishay Dale
ISC1210EB100J
Vishay Dale
ISC1210EB100K
Vishay Dale
ISC1210EB101J
Vishay Dale
ISC1210EB101K
Vishay Dale
ISC1210EB10NK
Vishay Dale
ISC1210EB10NM
Vishay Dale
XCV50E-6FG256I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FB484C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FF1761I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34E3SG
Intel
EP3C25F324I7
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel