casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / ISC1210EBR56M
codice articolo del costruttore | ISC1210EBR56M |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-ISC1210EBR56M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210EBR56M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 560nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 455mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 460 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 25.2MHz |
Frequenza - Autorisonante | 200MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25.2MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EBR56M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210EBR56M-FT |
ISC1210BNR47J
Vishay Dale
ISC1210BNR47K
Vishay Dale
ISC1210BNR47M
Vishay Dale
ISC1210BNR56K
Vishay Dale
ISC1210BNR56M
Vishay Dale
ISC1210BNR68K
Vishay Dale
ISC1210BNR68M
Vishay Dale
ISC1210BNR82J
Vishay Dale
ISC1210BNR82K
Vishay Dale
ISC1210BNR82M
Vishay Dale
EPF10K20TC144-4
Intel
LFEC3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel