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codice articolo del costruttore | ISC1210EBR56J |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1210EBR56J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210EBR56J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 560nH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 455mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 460 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 25.2MHz |
Frequenza - Autorisonante | 200MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25.2MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EBR56J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210EBR56J-FT |
ISC1210BNR39K
Vishay Dale
ISC1210BNR39M
Vishay Dale
ISC1210BNR47J
Vishay Dale
ISC1210BNR47K
Vishay Dale
ISC1210BNR47M
Vishay Dale
ISC1210BNR56K
Vishay Dale
ISC1210BNR56M
Vishay Dale
ISC1210BNR68K
Vishay Dale
ISC1210BNR68M
Vishay Dale
ISC1210BNR82J
Vishay Dale
A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel