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codice articolo del costruttore | ISC1210EBR18M |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1210EBR18M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210EBR18M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 180nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 580mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 240 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 25.2MHz |
Frequenza - Autorisonante | 400MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25.2MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EBR18M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210EBR18M-FT |
ISC1210BNR10K
Vishay Dale
ISC1210BNR10M
Vishay Dale
ISC1210BNR12M
Vishay Dale
ISC1210BNR15J
Vishay Dale
ISC1210BNR15K
Vishay Dale
ISC1210BNR15M
Vishay Dale
ISC1210BNR18J
Vishay Dale
ISC1210BNR22M
Vishay Dale
ISC1210BNR27J
Vishay Dale
ISC1210BNR27M
Vishay Dale
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation