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codice articolo del costruttore | ISC1210EBR18J |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1210EBR18J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210EBR18J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 180nH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 580mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 240 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 25.2MHz |
Frequenza - Autorisonante | 400MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25.2MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EBR18J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210EBR18J-FT |
ISC1210BNR10J
Vishay Dale
ISC1210BNR10K
Vishay Dale
ISC1210BNR10M
Vishay Dale
ISC1210BNR12M
Vishay Dale
ISC1210BNR15J
Vishay Dale
ISC1210BNR15K
Vishay Dale
ISC1210BNR15M
Vishay Dale
ISC1210BNR18J
Vishay Dale
ISC1210BNR22M
Vishay Dale
ISC1210BNR27J
Vishay Dale
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation