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codice articolo del costruttore | ISC1210EB33NM |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1210EB33NM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210EB33NM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 33nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 585mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 180 mOhm Max |
Q @ Freq | 45 @ 50MHz |
Frequenza - Autorisonante | 1GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 50MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EB33NM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210EB33NM-FT |
ISC1210BN270K
Vishay Dale
ISC1210BN2R2J
Vishay Dale
ISC1210BN2R2K
Vishay Dale
ISC1210BN2R7J
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ISC1210BN2R7K
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ISC1210BN330J
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ISC1210BN330K
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ISC1210BN33NM
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ISC1210BN390K
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ISC1210BN39NJ
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XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FG456C
Xilinx Inc.
EP2S60F484C3
Intel
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
A42MX09-2PL84I
Microsemi Corporation
LFE3-95E-8FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508C3N
Intel