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codice articolo del costruttore | ISC1210BN120J |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1210BN120J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210BN120J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 12µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 175mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 2.3 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 2.52MHz |
Frequenza - Autorisonante | 24MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 2.52MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN120J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210BN120J-FT |
74479762122
Wurth Electronics Inc.
74479762133
Wurth Electronics Inc.
74479762168
Wurth Electronics Inc.
744901010
Wurth Electronics Inc.
744901012
Wurth Electronics Inc.
744901015
Wurth Electronics Inc.
744901018
Wurth Electronics Inc.
744901022
Wurth Electronics Inc.
744901027
Wurth Electronics Inc.
744901033
Wurth Electronics Inc.
A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel