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codice articolo del costruttore | ISC1210BN120J |
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Numero di parte futuro | FT-ISC1210BN120J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ISC-1210 |
ISC1210BN120J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 12µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 175mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 2.3 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 2.52MHz |
Frequenza - Autorisonante | 24MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 2.52MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.095" (2.41mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN120J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ISC1210BN120J-FT |
74479762122
Wurth Electronics Inc.
74479762133
Wurth Electronics Inc.
74479762168
Wurth Electronics Inc.
744901010
Wurth Electronics Inc.
744901012
Wurth Electronics Inc.
744901015
Wurth Electronics Inc.
744901018
Wurth Electronics Inc.
744901022
Wurth Electronics Inc.
744901027
Wurth Electronics Inc.
744901033
Wurth Electronics Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel