casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS61QDP2B21M18A-333M3L
codice articolo del costruttore | IS61QDP2B21M18A-333M3L |
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Numero di parte futuro | FT-IS61QDP2B21M18A-333M3L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61QDP2B21M18A-333M3L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, QUADP |
Dimensione della memoria | 18Mb (1M x 18) |
Frequenza di clock | 333MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 8.4ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.71V ~ 1.89V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-LFBGA (15x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61QDP2B21M18A-333M3L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS61QDP2B21M18A-333M3L-FT |
IS43LR16640A-5BL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43LR16640A-5BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43LR16640A-5BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43LR16640A-5BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43LR16640A-6BL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43LR16640A-6BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43LR16640A-6BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43LR16640A-6BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR86400D-3DBI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR86400D-3DBI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
XC3S1500-4FG676I
Xilinx Inc.
XA7A25T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCG484I
Microsemi Corporation
10M40DAF256I7G
Intel
5SGXEA7K2F40C2
Intel
5SGSMD8K3F40C4N
Intel
XC6VLX75T-1FF484I
Xilinx Inc.
AT6003-2JI
Microchip Technology
EPF10K30RI240-4
Intel