casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS61QDB42M18-250M3
codice articolo del costruttore | IS61QDB42M18-250M3 |
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Numero di parte futuro | FT-IS61QDB42M18-250M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61QDB42M18-250M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, QUAD |
Dimensione della memoria | 36Mb (2M x 18) |
Frequenza di clock | 250MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 7.5ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.71V ~ 1.89V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-LFBGA (15x17) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61QDB42M18-250M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS61QDB42M18-250M3-FT |
IS61DDB22M18C-250M3L
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61DDB22M36A-300M3L
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61DDB24M18A-250M3L
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IS61DDB24M18A-300M3L
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61DDB251236A-250M3L
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61DDB41M18A-250M3L
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61DDB42M36A-300M3L
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IS61DDB44M18A-300M3L
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IS61DDB451236A-250M3L
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IS61DDP2B21M18A-400M3L
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