casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS61NVP51236B-200B3LI
codice articolo del costruttore | IS61NVP51236B-200B3LI |
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Numero di parte futuro | FT-IS61NVP51236B-200B3LI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61NVP51236B-200B3LI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous |
Dimensione della memoria | 18Mb (512K x 36) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 3ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.375V ~ 2.625V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-TBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-TFBGA (13x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61NVP51236B-200B3LI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS61NVP51236B-200B3LI-FT |
71V67703S80BQGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S80BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S80BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S85BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S85BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S85BQG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S85BQG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S85BQGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67703S85BQGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V67803S133BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC4020XL-1HT144C
Xilinx Inc.
EX64-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ240
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-3
Intel
10CL016YE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
Intel
LFE2-20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45I3LG
Intel