casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS61NLP51236-200B3
codice articolo del costruttore | IS61NLP51236-200B3 |
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Numero di parte futuro | FT-IS61NLP51236-200B3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61NLP51236-200B3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous |
Dimensione della memoria | 18Mb (512K x 36) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 3.1ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.135V ~ 3.465V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-TFBGA (13x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61NLP51236-200B3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS61NLP51236-200B3-FT |
IDT71V35761S200BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761S200BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA166BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761SA166BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel